中国半导体设备自给率首超 55% 成熟制程国产替代提速

2026 年 1 月 12 日，工信部发布***数据，我国新建晶圆厂产线中，国产设备采购金额占比首次突破 55%，较原定计划提前一年达成目标，标志着微电子设备国产化进入规模化放量阶段。细分领域中，刻蚀、薄膜沉积、清洗设备国产化率均突破 60%，其中中微公司 CCP 刻蚀设备已进入 5 纳米工艺循环验证，北方华创 ALD 设备拿下长江存储 400 层 3D NAND 订单。

先进制程进展超预期，中芯国际 7 纳米试验线提前至 2025 年底通线，核心设备***采用国产型号，首批 256Mb SRAM 芯片良率达 42%。政策层面，***集成电路产业投资基金二期计划未来三年向设备环节投入 800 亿元，重点扶持光刻、量测等 “卡脖子” 领域。设备国产化的加速，将为达沃克斯等微电子企业降低供应链成本、保障生产稳定性提供重要支撑。