第三代半导体商业化加速 车规级 SiC 器件成本再降 15%

2026 年 1 月，据第三代半导体产业全景分析报告显示，随着 8 英寸 SiC 衬底良率提升及封装技术革新，车规级 SiC MOSFET 器件成本较 2024 年下降 15%，推动国内新能源汽车 800V 架构渗透率突破 35%。政策端持续加码，我国 “第三代半导体跃升工程” 对 12 英寸 SiC 衬底量产线给予 20% 固定资产投资补贴，单个项目上限达 5 亿元，同时新能源汽车购置补贴向搭载 SiC 电驱系统的车型倾斜 10%。

行业动态方面，比亚迪半导体推出 “SiC MOSFET + 驱动 IC” 集成模组，已应用于全系 800V 车型；华为数字能源开发的全液冷 SiC 模组功率密度达 4.2kW/L，成功导入数据中心电源场景。随着成本临界点突破，SiC 器件正从高端车型向中端市场普及，为达沃克斯等布局功率半导体的企业开辟了广阔的车载应用空间。